Memrystor

Proponowany (nieoficjalny) symbol memrystora

Memrystor (ang. memristor) - jeden z czterech podstawowych biernych elementów elektronicznych (trzy pozostałe to opornik (rezystor), kondensator i cewka). Memrystor ("memory resistor" - opornik z pamięcią) działa jako pojedyncza komórka pamięci, może być użyty do przechowywania jednego bitu informacji, rezystancja memrystora może być sterowana prądowo.

Memrystory mogą być używane do budowy tranzystorów o znacznie mniejszych wymiarach niż na to pozwalały wcześniejsze technologie, a także do konstrukcji pamięci trwałych o znacznie większej gęstości zapisu danych niż tradycyjne dyski twarde ale o szybkości pracy zbliżonej do pamięci DRAM.

[edytuj] Właściwości fizyczne

Memrystor jest elementem, w którym strumień magnetyczny skojarzony \Psi \, jest funkcją przepływającego przezeń ładunku elektrycznego q \,, tj. w którym \Psi = \Psi(q) \,. Zależność strumienia od ładunku

M(q)\equiv\frac{d\Psi}{dq}

nazwano "memrystancją"[1], przez analogię m.in. do rezystancji.

Memrystancja jest dopełniającą zależnością między dwiema z czterech podstawowych wartości opisujących obwód elektryczny: natężeniem prądu i \,, napięciem elektrycznym u \,, ładunkiem elektrycznym q \, i strumieniem magnetycznym skojarzonym \Psi \,. Pozostałe pięć z sześciu możliwych kombinacji to:

q(t)=\int_{-\infty}^{t}i(\tau)\, d\tau
\Psi(t)=\int_{-\infty}^{t}u(\tau)\, d\tau

oraz parametry pozostałych trzech podstawowych elementów biernych w elektronice:

rezystancją R \, rezystora (R=\frac{du}{di})
indukcyjnością L \, cewki (L=\frac{d\Psi}{di})
pojemnością C \, kondensatora (C=\frac{dq}{du})

Napięcie u \, na memrystorze związane jest z przepływającym prądem i \, poprzez chwilową wartość jego memrystancji:

u(t) = M(q(t)) i(t) \,

gdzie t \, oznacza czas

[edytuj] Przypisy

  1. ↑ kalka z języka angielskiego (memristance), nie ma jeszcze polskiego odpowiednika

[edytuj] Linki zewnętrzne

Zobacz zbiór multimediów na Wikimedia Commons:
Memrystor